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IXTP 1R6N50P
IXTY 1R6N50P
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
Fig. 7. Input Adm ittance
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
Fig. 8. Transconductance
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
5.0
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
4.5
4.0
3.5
3.0
9
8
7
6
V DS = 250V
I D = 0.8A
I G = 10mA
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
5
4
3
2
1
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
1000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
10
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 150 o C
100
10
1
C iss
C oss
C rss
1
0.1
R DS(on) Limit
DC
T C = 25 o C
25μs
100μs
1ms
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
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IXTP200N085T 功能描述:MOSFET MOSFET Id200 BVdass85 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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